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IRS26072DSPbF
Application Information and Additional Details
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IGBT/MOSFET Gate Drive
Switching and Timing Relationships
Matched Propagation Delays
Input Logic Compatibility
Under-Voltage Lockout Protection
Truth Table: Under-Voltage lockout
Integrated Bootstrap Functionality
Bootstrap Power Supply Design
Tolerant to Negative V S Transients
PCB Layout Tips
Integrated Bootstrap FET limitation
Additional Documentation
IGBT/MOSFET Gate Drive
The IRS26072D HVIC is designed to drive high side and low side MOSFET or IGBT power devices. Figures 1 and
2 show the definition of some of the relevant parameters associated with the gate driver output functionality. The
output current that drives the gate of the external power switches is defined as I O . The output voltage that drives
the gate of the external power switches is defined as V HO for the high side and V LO for the low side; this parameter
is sometimes generically called V OUT and in this case the high side and low side output voltages are not
differentiated.
V B
(or V CC )
HO
I O+
V B
(or V CC )
HO
(or LO)
V S
+
V HO (or V LO )
-
(or LO)
V S
I O -
(or COM)
Figure 1: HVIC sourcing current
www.irf.com
11
(or COM)
Figure 2: HVIC sinking current
? 2009 International Rectifier
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